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电力半导体元器件大多是以开关方式工作为主、对电能进行控制和转换的电力电子器件。如可关断晶闸管(英文缩写:GTO)、电力晶体管(GTR)、功率场效应晶体管(Power Mosfet)、绝缘棚式双极型晶体管(IGBT)、静电感应晶体管(S...


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电力半导体元器件大多是以开关方式工作为主、对电能进行控制和转换的电力电子器件。如可关断晶闸管(英文缩写:GTO)、电力晶体管(GTR)、功率场效应晶体管(Power Mosfet)、绝缘棚式双极型晶体管(IGBT)、静电感应晶体管(SIT)、静电感应晶闸管(SITH)、MOS晶闸管(MCT)等。双极型器件是指器件内部的电子和空穴两种载流子都参与导电过程的半导体器件。这类器件的导通电阻小于0.09Ω,导通电压降低,阻断电压高,初级电工培训教材,电流容量大。常见的有GTO(可关断晶闸管)、GTR(电力晶体管)、SITH(静电感应晶闸管)等。GTO耐压高(4500V)、电流大(5000A)。GTR具有控制方便、开关时间短、导通电压低、高频特性好等优点。SITH用棚极控制开通和关断,靖江考证培训班,具有导通电阻小、导通电压低、开关速度快、功耗小、关断电流增益大等特点。
电缆一般分电力电缆控制电缆两种,其基本特点是:一般埋设在地下,不易受外界的破坏及环境的影响,运行比较可靠,同时通过居民区无高压危险。电缆线路节约用地,美化市容,电工培训,便于管理,日常维修量小。但也存在施工复杂,价格较高,施工期长,敷设后不易更改,企业电工培训,不易加分支线,不易发现故障,检修技术复杂的不利影响。明确线路走向根据配电要求及设计图纸确定其走向;埋设深度一般应在地下0.7m深处,在与其他电缆接近或与其他管道接近时应埋在地下1m深处;直埋电缆沟的沟底必须平整,或在沟底铺一层厚100mm的细土,并在地面装设标志;电缆穿越路面时应穿套管保护;铠装和铅包电缆的金属外皮两端必须接地。
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